Wyślij wiadomość
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com TEL: 86--13825240555
  • MT521W1MH18BF-4

MT521W1MH18BF-4

Szczegóły Produktu
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Rozmiar pamięci:
18Mbitów
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
HSTL
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
165-FBGA (13x15)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Micron Technology Inc.
Częstotliwość zegara:
250MHz
Napięcie - zasilanie:
1.7V ~ 1.9V
Opakowanie / Pudełko:
165-TBGA
Organizacja pamięci:
1M x 18
Temperatura pracy:
0°C ~ 70°C (TA)
Technologia:
SRAM - synchroniczny, DDR II
Czas dostępu:
450 ps
Format pamięci:
SRAM
Warunki płatności i wysyłki
Opis
Układ scalony SRAM 18MBIT HSTL 165FBGA
Opis produktu
SRAM - Synchronowa pamięć DDR II IC 18Mbit HSTL 250 MHz 450 ps 165-FBGA (13x15)

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86--13825240555
609 nr 4018, Baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas