Wyślij wiadomość
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com TEL: 86--13825240555
  • MR3A16ACYS35

MR3A16ACYS35

Szczegóły Produktu
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
Pozycja AEC-Q100
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
35ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
54-TSOP2
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Everspin Technologies Inc.
Rozmiar pamięci:
8Mbit
Napięcie - zasilanie:
3V ~ 3,6V
Czas dostępu:
35 nS
Opakowanie / Pudełko:
54-TSOP (0,400", 10,16 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
512 KB x 16
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
Technologia:
MRAM (magnetorezystancyjna pamięć RAM)
Numer produktu podstawowego:
MR3A16
Format pamięci:
Baran
Warunki płatności i wysyłki
Opis
IC RAM 8MBIT RÓWNOLEGŁY 54TSOP2
Opis produktu
MRAM (magnetoresystywna pamięć RAM) Pamięć IC 8Mbit Równoległy 35 ns 54-TSOP2

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86--13825240555
609 nr 4018, Baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas