logo
Wyślij wiadomość
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com TEL: 86--13825240555
Dom > produkty > Układ scalony pamięci flash >
S34MS02G100BHI003
  • S34MS02G100BHI003

S34MS02G100BHI003

Szczegóły Produktu
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
MS-1
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
45ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
63-BGA (11x9)
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Rozmiar pamięci:
2Gbit
Napięcie - zasilanie:
1,7 V ~ 1,95 V
Czas dostępu:
45 ns
Opakowanie / Pudełko:
63-VFBGA
Organizacja pamięci:
256M x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
Technologia:
FLASH - NAND
Numer produktu podstawowego:
S34MS02
Format pamięci:
Błysk
Warunki płatności i wysyłki
Opis
IC FLASH 2 GBIT RÓWNOLEGŁY 63BGA
Opis produktu
Flash - pamięć NAND IC 2Gbit Parallel 45 ns 63-BGA (11x9)

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86--13825240555
609 nr 4018, Baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas