logo
Wyślij wiadomość
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com TEL: 86--13825240555
  • 70V631S12BC

70V631S12BC

Szczegóły Produktu
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
12ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
256-CABGA (17x17)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Rozmiar pamięci:
4,5 Mbit
Napięcie - zasilanie:
3,15 V ~ 3,45 V
Czas dostępu:
12 ns
Opakowanie / Pudełko:
256-LBGA
Organizacja pamięci:
256 KB x 18
Temperatura pracy:
0°C ~ 70°C (TA)
Technologia:
SRAM — podwójny port, asynchroniczny
Numer produktu podstawowego:
70V631
Format pamięci:
SRAM
Warunki płatności i wysyłki
Opis
Układ scalony SRAM 4,5MBIT PAR 256CABGA
Opis produktu
SRAM - Dual Port, asynchroniczna pamięć IC 4.5Mbit Parallel 12 ns 256-CABGA (17x17)

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86--13825240555
609 nr 4018, Baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas