logo
Wyślij wiadomość
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com TEL: 86--13825240555
Dom > produkty > Układ scalony pamięci flash >
CY14E116N-Z30XIT
  • CY14E116N-Z30XIT
CY14E116N-Z30XIT

CY14E116N-Z30XIT

Szczegóły Produktu
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
30ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
48-TSOP I
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Infineon Technologies
Rozmiar pamięci:
16Mbit
Napięcie - zasilanie:
4,5 V ~ 5,5 V
Czas dostępu:
30 sekund
Opakowanie / Pudełko:
48-TFSOP (0,724", 18,40 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
1M x 16
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
Technologia:
NVSRAM (nieulotna pamięć SRAM)
Numer produktu podstawowego:
CY14E116
Format pamięci:
NVSRAM
Warunki płatności i wysyłki
Opis
IC NVSRAM 16MBIT PAR 48TSOP I
Opis produktu
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Pamięć IC 16Mbit Parallel 30 ns 48-TSOP I

Tagi:

Układ scalony pamięci flash,

układ scalony,

układy pamięci

rekomendowane produkty

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86--13825240555
609 nr 4018, Baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas