Wyślij wiadomość
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com TEL: 86--13825240555
Dom > produkty > Tranzystorowy układ scalony >
DF80R12W2H3FB11BPSA1
  • DF80R12W2H3FB11BPSA1
DF80R12W2H3FB11BPSA1

DF80R12W2H3FB11BPSA1

Szczegóły Produktu
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
20 A
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
pakiet:
Płytka
Zestaw:
EconoPACK™ 2
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
1,7 V przy 15 V, 20 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1mA
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc — maks:
20 mW
Wpływ:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
2,35 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Pół mostu
Termistor NTC:
- Tak, proszę.
Numer produktu podstawowego:
DF80R12
Warunki płatności i wysyłki
Magazyn
w magazynie
Sposób wysyłki
LCL, AIR, FCL, Express
Opis
IGBT MOD 1200 V 20 A 20 MW
Zasady płatności
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Opis produktu
Moduł IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 20 A 20 mW Moduł montażu podwozia

Tagi:

Tranzystorowy układ scalony,

wbudowany układ scalony,

wbudowany układ scalony SMD

rekomendowane produkty

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86--13825240555
609 nr 4018, Baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas