Wyślij wiadomość
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com TEL: 86--13825240555
Dom > produkty > Tranzystorowy układ scalony >
A1P50S65M2-F
  • A1P50S65M2-F
A1P50S65M2-F

A1P50S65M2-F

Szczegóły Produktu
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
50 A
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,3 V przy 15 V, 50 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
650 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
ACEPACK™ 1
Mfr:
STMikroelektronika
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
100µA
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc — maks:
208 W
Wpływ:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
4,15 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Falownik trójfazowy
Termistor NTC:
- Tak, proszę.
Numer produktu podstawowego:
A1P50
Warunki płatności i wysyłki
Magazyn
w magazynie
Sposób wysyłki
LCL, AIR, FCL, Express
Opis
IGBT MOD 650 V 50 A 208 W ACEPACK1
Zasady płatności
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Opis produktu
Moduł IGBT Trench Field Stop Trójfazowy Inwerter 650 V 50 A 208 W

Tagi:

Tranzystorowy układ scalony,

wbudowany układ scalony,

wbudowany układ scalony SMD

rekomendowane produkty

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86--13825240555
609 nr 4018, Baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas