Wyślij wiadomość
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com TEL: 86--13825240555
Dom > produkty > Tranzystorowy układ scalony >
FF650R17IE4BOSA1
  • FF650R17IE4BOSA1

FF650R17IE4BOSA1

Szczegóły Produktu
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
5mA
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
pakiet:
Płytka
Zestaw:
PrimePack™2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,45 V przy 15 V, 650 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1700 W
Zestaw urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C
Moc — maks:
4150 W
Typ IGBT:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Wpływ:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
54 nF przy 25 V
Konfiguracja:
2 niezależne
Termistor NTC:
- Tak, proszę.
Numer produktu podstawowego:
FF650R17
Warunki płatności i wysyłki
Magazyn
w magazynie
Sposób wysyłki
LCL, AIR, FCL, Express
Opis
MODUŁ IGBT 1700V 4150W
Zasady płatności
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Opis produktu
Moduł IGBT 2 Niezależny moduł montażu podwozia 1700 V 4150 W

rekomendowane produkty

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86--13825240555
609 nr 4018, Baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas