Wyślij wiadomość
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com TEL: 86--13825240555
Dom > produkty > Tranzystorowy układ scalony >
MRF6V12250HSR3
  • MRF6V12250HSR3
MRF6V12250HSR3

MRF6V12250HSR3

Szczegóły Produktu
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Wycofane w Digi-Key
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
100 V
pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-780S
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
1,03 GHz
Osiągać:
20,3 dB
Opakowanie / Pudełko:
NI-780S
Bieżący — Test:
100 mA
Moc - Wyjście:
275 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
MRF6
Warunki płatności i wysyłki
Magazyn
w magazynie
Sposób wysyłki
LCL, AIR, FCL, Express
Opis
FET RF 100 V 1,03 GHz NI-780S
Zasady płatności
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Opis produktu
RF Mosfet 50 V 100 mA 1,03 GHz 20,3 dB 275W NI-780S

Tagi:

Tranzystorowy układ scalony,

wbudowany układ scalony,

wbudowany układ scalony SMD

rekomendowane produkty

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86--13825240555
609 nr 4018, Baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas