Wyślij wiadomość
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com TEL: 86--13825240555
Dom > produkty > Tranzystorowy układ scalony >
F3L25R12W1T4B27BOMA1
  • F3L25R12W1T4B27BOMA1
F3L25R12W1T4B27BOMA1

F3L25R12W1T4B27BOMA1

Szczegóły Produktu
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
45 A
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,25 V przy 15 V, 25 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
AG-EASY1B
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1mA
Typ IGBT:
-
Moc — maks:
215 W
Wpływ:
Standard
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
1,45 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Pół mostu
Termistor NTC:
- Tak, proszę.
Numer produktu podstawowego:
F3L25R12
Warunki płatności i wysyłki
Opis
MODUŁ IGBT 1200V EASY1B-2
Opis produktu
Moduł IGBT Half Bridge 1200 V 45 A 215 W Podwozie AG-EASY1B

Tagi:

Tranzystorowy układ scalony,

wbudowany układ scalony,

wbudowany układ scalony SMD

rekomendowane produkty

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86--13825240555
609 nr 4018, Baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas