|
| Miejsce pochodzenia | Chiny |
| Nazwa handlowa | Original Factory |
| Orzecznictwo | Lead free / RoHS Compliant |
| Numer modelu | IMBG65R107M1HXTMA1 |
Układ scalony Chip 2023 IMBG65R107M1HXTMA1 Tranzystor NPN Dioda MOS Oryginał
Opis produktu
Specyfikacja produktu
| Numer części | IMBG65R107M1HXTMA1 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 496 pF przy 400 V |
| Opakowanie / etui | TO-263-8, D²Pak (7 odprowadzeń + zakładka), TO-263CA |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 110 W (Tc) |
| temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Seria: | CoolSIC™ M1 |
| Typ FET: | Kanał N |
| Napięcie drenu do źródła (Vdss): | 650 V |
| Technologia: | SiCFET (węglik krzemu) |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) @ 25°C: | 24A (Tc) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
Często zadawane pytania
P1: Jak długi jest czas dostawy?
Odp.: czas dostawy zakupów grupowych: 30-60 dni;Ogólny czas dostawy: 20 dni.
Q2: Jak kupić swoje produkty?
Odp.: możesz kupić produkty bezpośrednio od naszej firmy. Zwykle procedura polega na podpisaniu umowy, płatności przez T / T, skontaktuj się z firmą spedycyjną, aby dostarczyć towar do twojego kraju.
P3: A co z czasem dostawy?
Odp .: Ogólnie rzecz biorąc, towary zostaną wysłane w ciągu 1-7 dni roboczych po otrzymaniu płatności, ostatecznie zależy to od ilości zamówienia.
P4: Jakie jest twoje MOQ?
Odp .: Minimalna ilość zamówienia zaczyna się od JEDNEJ sztuki, zależy to od konkretnego zamówienia!
P5: W JAKI SPOSÓB możemy pobrać od Ciebie próbki?
Odp .: Próbki są dostępne.Zwykle zajmujemy 2 dni na zorganizowanie próbek.Jeśli wcześniej nie mieliśmy z tobą żadnej historii biznesowej, musimy obciążyć kosztami próbek butów i wysłać przesyłkę kurierską.
P6: Jaka jest jakość twoich produktów? Czy testujesz wszystkie swoje towary przed dostawą?
Odp .: Tak, mamy 100% test przed dostawą, możemy zapewnić jakość produktu naszej firmy.Wszystkie produkty mają 30-90 dni gwarancji jakości.
Wszelkie inne pytania, prosimy o kontakt z nami.Jesteśmy zawsze do Twojej dyspozycji!
|
1,14 V ~ 1,26 V
|
Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie
